Những ứng viên sáng giá cho giải Nobel Vật lý 2025
Giới chuyên gia dự đoán giải Nobel Vật lý 2025 có thể trao cho những người góp công lớn trong các lĩnh vực lượng tử, siêu vật liệu, vũ trụ.
Hôm nay Giải Nobel Vật lý 2025 sẽ được công bố, dự kiến lúc11h45 ngày 7/10 tại thủ đô Stockholm Thụy Điển (tức 16h45 giờ Hà Nội). Quá trình lựa chọn người chiến thắng diễn ra bí mật, chỉ các thành viên của Hội đồng Nobel Vật lý và Ban Vật lý thuộc Viện hàn lâm Khoa học Hoàng gia Thụy Điển biết ai sẽ là chủ nhân giải thưởng danh giá. Dù vậy, trước thời gian công bố, các chuyên gia đưa ra nhiều dự đoán về ứng viên tiềm năng năm nay.
Huy chương giải Nobel. Ảnh: Nobel Prize
Physics World , tạp chí của Viện Vật lý (IOP) tại Anh, cho rằng giải Nobel Vật lý 2025 có thể vinh danh nhà khoa học góp công lớn cho thông tin lượng tử và thuật toán. Phần lớn những công trình tiên phong trong lĩnh vực này được thực hiện từ vài thập kỷ trước và giờ đã ứng dụng trong máy tính lượng tử cũng như hệ thống mật mã. Các ứng viên tiềm năng gồm Peter Shor (Viện Công nghệ Massachusetts) - nhà toán học chứng minh máy tính lượng tử có thể bẻ khóa một phương pháp mã hóa tiêu chuẩn vào năm 1994, giáo sư khoa học máy tính Gilles Brassard (Đại học Montréal) và nhà vật lý Charles Bennett (trung tâm IBM Research) với nghiên cứu về mã hóa lượng tử.
Giáo sư vật lý David Deutsch (Đại học Oxford), cũng là một ứng viên sáng giá. Ông được coi là cha đẻ của điện toán lượng tử. Dù không phải người đầu tiên đưa ra ý tưởng về điện toán lượng tử, ông đã khiến lĩnh vực này trở nên đáng chú ý khi chứng minh máy tính lượng tử có thể đạt lợi thế tốc độ so với máy tính cổ điển. Tuy nhiên, chỉ tối đa ba người có thể cùng chia sẻ giải thưởng.
Một khả năng khác cho giải Nobel Vật lý là thuyết vũ trụ giãn nở, mô tả quá trình vũ trụ giãn nở theo cấp số nhân trong giai đoạn sơ khai, nhằm giải thích tình trạng quan sát được của vũ trụ ngày nay. Giới khoa học biết rằng vũ trụ đang mở rộng vì họ có thể theo dõi các thiên hà khác di chuyển ra xa khỏi dải Ngân Hà - thiên hà chứa Trái Đất. Nếu thuyết này được tôn vinh, giải thưởng nhiều khả năng sẽ thuộc về các nhà vật lý Alan Guth (Viện Công nghệ Massachusetts), Andrei Linde (Đại học Stanford), Paul Steinhardt (Đại học Princeton).
Một cái tên sáng giá khác là Alexei Starobinsky, nhưng ông đã qua đời vào năm 2023 trong khi giải Nobel chỉ được trao cho nhà khoa học còn sống.
Theo Physics World , một hướng nghiên cứu thú vị có thể nhận giải Nobel Vật lý năm nay là siêu vật liệu (metamaterial) - những vật liệu được con người thiết kế đặc biệt để tương tác khác thường với ánh sáng, âm thanh hoặc nhiệt độ. Nếu lĩnh vực này được tôn vinh, nhà khoa học John Pendry (Đại học Hoàng gia London) gần như chắc chắn được xướng tên. Ông là người tiên phong về quang học biến đổi, khái niệm giúp đơn giản hóa cách hiểu về sự tương tác giữa ánh sáng với siêu vật liệu, mở đường cho việc thiết kế những vật thể và thiết bị với đặc tính ấn tượng.
Một trong những ứng dụng của siêu vật liệu là áo choàng tàng hình hoạt động ở tần số vi sóng do nhà khoa học David Smith (Đại học Duke) chế tạo lần đầu năm 2006. Ông cũng là một ứng cử viên cho giải Nobel Vật lý năm nay. Nhà vật lý ứng dụng Federico Capasso (Đại học Harvard), nổi tiếng với phát minh laser tầng lượng tử, là ứng viên thứ ba nhờ đóng góp lớn trong việc phát triển siêu vật liệu cho các ứng dụng quang học thực tế.
Giải Nobel Vật lý 2024 được trao cho hai nhà khoa học John J. Hopfield và Geoffrey E. Hinton. Ảnh: Nobel Prize
Viện Thông tin Khoa học (ISI) thuộc công ty phân tích Clarivate đưa ra dự đoán khác về giải Nobel Vật lý năm nay. Hàng năm, ISI sẽ công bố danh sách Citation Laureates gồm các nhà nghiên cứu có sức ảnh hưởng sâu rộng, thường xuyên được trích dẫn, có đóng góp lớn tương đương những người từng nhận giải Nobel. Từ năm 2002, khi ISI bắt đầu công bố danh sách Citation Laureates hàng năm, 75 người trong danh sách đã đoạt giải Nobel.
Danh sách Citation Laureates năm nay gồm 22 nhà nghiên cứu đến từ các tổ chức học thuật tại 8 quốc gia và khu vực trên thế giới. Trong lĩnh vực vật lý, ISI đưa ra ba công trình nghiên cứu với 6 nhà khoa học có đóng góp nổi bật. Đầu tiên là Ingrid Daubechies (Đại học Duke), Stephane Mallat (Đại học Pháp), và Yves Meyer (Đại học Paris-Saclay) với những đóng góp trong việc phát triển thuyết wavelet, một cuộc cách mạng trong toán học và vật lý với các ứng dụng thực tiễn như xử lý hình ảnh.
Tiếp theo, nhà khoa học David DiVincenzo (Đại học RWTH Aachen) và Daniel Loss (Đại học Basel) góp mặt trong danh sách nhờ đề xuất mô hình Loss-DiVincenzo cho máy tính lượng tử, sử dụng spin (mô-men nội tại) của electron trong các chấm lượng tử làm qubit (bit lượng tử).
Ứng cử viên cuối cùng là nhà thiên văn Ewine van Dishoeck (Đại học Leiden) với những đóng góp tiên phong cho ngành hóa học thiên văn, giúp khám phá các đám mây phân tử trong vùng không gian liên sao và vai trò của chúng trong quá trình hình thành sao và hành tinh.
Năm 2024, dự đoán giải Nobel Vật lý của ISI không chính xác khi Viện Hàn lâm Khoa học Hoàng gia Thụy Điển xướng tên John J. Hopfield, giáo sư tại Đại học Princeton, Mỹ và giáo sư người Anh Geoffrey E. Hinton tại Đại học Toronto, Canada "vì những khám phá và phát minh nền tảng mở đường cho học máy với mạng thần kinh nhân tạo".
Ellen Moons, chủ tịch Hội đồng Nobel Vật lý năm ngoái đánh giá: "Công trình của những người đoạt giải đã mang lại lợi ích lớn lao. Trong vật lý, chúng tôi sử dụng mạng thần kinh nhân tạo ở nhiều lĩnh vực, ví dụ như phát triển vật liệu mới với các đặc tính nhất định".
OpenAI chi hàng chục tỷ USD mua chip và cổ phiếu AMD
OpenAI và AMD công bố thỏa thuận hợp tác trị giá hàng tỷ USD để cùng phát triển các trung tâm dữ liệu AI được vận hành bằng bộ vi xử lý của hãng chip.
Cụ thể, OpenAI sẽ mua số chip AMD tương đương 6 gigawatt, bắt đầu với dòng MI450 ra mắt năm sau. Việc mua bán sẽ được thực hiện trực tiếp với AMD hoặc thông qua các đối tác cung cấp dịch vụ điện toán đám mây.
Lisa Su, CEO AMD, nói với WSJ rằng thỏa thuận sẽ mang lại hàng chục tỷ USD doanh thu trong 5 năm tới. Hai bên không tiết lộ cụ thể, nhưng hãng nhấn mạnh mỗi gigawatt công suất đã trị giá chục tỷ USD, do đó tổng hợp đồng có thể vượt 60 tỷ USD.
Đổi lại, OpenAI nhận được quyền mua đến 160 triệu cổ phiếu AMD, tương đương 10% cổ phần công ty, với giá 0,01 USD mỗi cổ phiếu. Quyền mua chia theo từng giai đoạn, miễn là OpenAI đạt các mốc triển khai đã thỏa thuận. Các điều khoản chi tiết chưa được công bố.
CEO AMD Lisa Su giới thiệu MI300X tại sự kiện ngày 13/6 ở San Francisco. Ảnh: Servethehome
Thỏa thuận được đánh giá là chiến thắng lớn cho AMD, diễn ra ngay sau khi Nvidia công bố hợp tác chiến lược với Intel tháng trước. Trong đó, Nvidia và Intel sẽ cùng phát triển bộ xử lý hệ thống x86 RTX dành cho máy tính cá nhân, tích hợp đồ họa Nvidia, đồng thời phát triển bộ xử lý trung tâm dữ liệu x86 tùy chỉnh cho Nvidia.
Trong khi đó, OpenAI sẽ sử dụng chip AMD cho các tác vụ suy luận để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng mạnh. Thỏa thuận cho thấy cơn khát sức mạnh tính toán ngày càng tăng của OpenAI và toàn ngành AI, trong bối cảnh các công ty chạy đua phát triển trí tuệ nhân tạo có khả năng sánh ngang hoặc vượt con người. "Rất khó diễn tả hết mức độ thách thức hiện nay... Chúng tôi muốn mọi thứ thật nhanh, nhưng quá trình này cần thời gian", CEO OpenAI Sam Altman nói với WSJ . Còn bà Su cho biết dự án sẽ "đưa năng lực tính toán AI lên quy mô khổng lồ".
Trước đó, ngày 22/9, Nvidia thông báo kế hoạch đầu tư 100 tỷ USD vào OpenAI nhằm triển khai các hệ thống 10 gigawatt để vận hành cơ sở hạ tầng AI thế hệ tiếp theo. Một số nguồn tin nói Nvidia sẽ đầu tư thông qua việc mua cổ phần không có quyền biểu quyết, còn công ty sở hữu ChatGPT sẽ dùng nguồn vốn này để mua chip Nvidia.
Camera Leica trên Xiaomi 17 Pro và 17 Pro Max đang được thử nghiệm thực tế, đối đầu trực tiếp iPhone 17 Pro Max, Galaxy S25 Ultra và thế hệ tiền nhiệm Xiaomi 15 Pro, cho thấy những cải tiến đáng kể về cảm biến, dải sáng và khả năng chụp đêm.
Phát minh bóng bán dẫn mở ra kỷ nguyên máy tính
Sự ra đời của bóng bán dẫn giúp khuếch đại tín hiệu điện với hiệu suất cao, mở đường cho máy tính hiện đại.
John Bardeen (trái), William Shockley (giữa) và Walter Brattain (phải) tại phòng thí nghiệm năm 1955. Ảnh: Hulton Archive
Theo Live Science , 3 nhà khoa học John Bardeen, Walter Brattain và William Shockley ở Phòng thí nghiệm Bell tại New Jersey nhận bằng sáng chế của Mỹ ngày 3/10/1950, dành cho bóng bán dẫn, một trong những phát minh quan trọng nhất thế kỷ 20. Trước đó hai năm, họ từng xin cấp bằng sáng chế cho "bộ phận mạch 3 điện cực sử dụng vật liệu bán dẫn".
Ban đầu, bóng bán dẫn được thiết kế do công ty AT&T muốn cải tiến mạng lưới điện thoại. Ở thời điểm đó, AT&T khuếch đại và truyền tín hiệu điện thoại bằng đèn điện tử 3 cực, thiết bị bao gồm cực âm, cực dương và lưới điều khiển trong ống chân không, đảm bảo electron có thể di chuyển mà không va vào phân tử khí. Nhưng đèn điện tử 3 cực thường bị nóng quá mức, vì vậy vào thập niên 1930, Mervin Kelly, chủ tịch Phòng thí nghiệm Bell, bắt đầu tìm kiếm giải pháp thay thế. Ông bị thu hút bởi tiềm năng của bóng bán dẫn vốn có những đặc tính điện lai giữa chất cách điện và dẫn điện.
Cuối Thế chiến II, Kelly tuyển mộ đội ngũ nghiên cứu do Shockley đứng đầu để tìm cách thay thế đèn điện tử 3 cực ống chân không. Họ tiến hành một loạt thí nghiệm với silicon nhưng gặt hái ít thành công do khả năng khuếch đại kém. Năm 1947, Brattain và Bardeen đổi từ sử dụng silicon sang germanium. Nghiên cứu của họ dẫn tới sự ra đời của bóng bán dẫn sử dụng lò xo nhỏ để ép hai mảnh lá vàng mỏng vào tấm germanium. Loại bóng bán dẫn sơ khai này đòi hỏi điều chỉnh khéo léo để khuếch đại tín hiệu gấp 100 lần.
Năm 1948, Shockley cải tiến thiết kế đó với bóng bán dẫn tiếp giáp, đặt nền móng cho phần lớn bóng bán dẫn hiện đại. Mấu chốt của công nghệ này là khi điện áp truyền qua vật liệu bán dẫn, electron di chuyển bên trong vật liệu, để lại những "hố" tích điện dương. Do đó, có thể tạo ra vật liệu bán dẫn loại N hoặc P, vùng dư thừa điện tích âm hoặc dương. Khi điện cực kim loại tiếp xúc với vật liệu bán dẫn, dòng điện sẽ truyền theo một chiều nếu tiếp xúc với vật liệu loại N và chiều ngược trong vật liệu loại P.
Bóng bán dẫn tiếp giáp tận dụng đặc tính này thông qua vật liệu bán dẫn với 3 điện cực gắn kèm. Thông qua biến đổi điện áp, đặc tính của điện cực và vật liệu bán dẫn, có thể khuếch đại dòng điện, dẫn tới nhiều ứng dụng giá trị trong máy vô tuyến, TV, mạng lưới điện thoại và máy tính. Năm 1956, Shockley, Bardeen và Shockley giành giải Nobel Vật lý nhờ nghiên cứu về "hiệu ứng bóng bán dẫn".
Theo IEEE Spectrum , vài năm sau, nhà hóa học vật lý Morris Tanenbaum từng làm việc cùng Shockley ở Phòng thí nghiệm Bell trong thời gian ngắn, phát minh bóng bán dẫn silicon đầu tiên. Năm 1959, Jack Kilby ở công ty Texas Instruments xin cấp bằng sáng chế cho mạch tích hợp đầu tiên, hình thành nền tảng cho chip máy tính hiện đại. Năm 1968, Gordon Moore, nhà sáng lập Intel, nhận định bóng bán dẫn ngày càng thu nhỏ và những con chip trở nên mạnh gấp đôi ở tốc độ dễ dự đoán. Hiện nay, các nhà khoa học dự đoán máy tính lượng tử sẽ mở ra kỷ nguyên máy tính tiếp theo.
Redmi Note 14 Pro Plus 5G là một trong những sản phẩm mới nhất đến từ Xiaomi, được kỳ vọng sẽ làm mưa làm gió trên thị trường smartphone tầm trung. Vậy sản phẩm này có gì mới so với người tiền nhiệm, và mức giá của nó có xứng đáng với những gì người dùng nhận được? Bài viết này sẽ mang đến cái nhìn chi tiết về những điểm nổi bật của Redmi Note 14 Pro Plus 5G và lý do tại sao bạn nên cân nhắc khi lựa chọn chiếc smartphone này.
Điện thoại Redmi Note 14 Pro Plus 5G ra mắt tại Việt Nam
Xiaomi đã chính thức công bố Redmi Note 14 Pro Plus 5G vào cuối tháng 9/2024, nhưng mẫu điện thoại này sẽ chính thức lên kệ tại Việt Nam vào ngày 10/1/2025. Đây là một trong những dòng điện thoại tầm trung được chú ý nhiều nhất trong thời gian gần đây, không chỉ vì những nâng cấp về mặt công nghệ mà còn vì giá cả hấp dẫn.
Giá bán của Redmi Note 14 Pro Plus 5G sẽ tương đương với người tiền nhiệm Redmi Note 13 Pro Plus khi vừa ra mắt. Phiên bản với cấu hình 8GB RAM và 256GB. Mặc dù giá không phải là rẻ nhất trong phân khúc nhưng với những gì mà chiếc điện thoại này mang lại, đây vẫn là một lựa chọn đáng giá cho những ai đang tìm kiếm một chiếc smartphone tầm trung mạnh mẽ.
So sánh Redmi Note 14 Pro Plus vs Note 13 Pro Plus: nâng cấp gì?
Thiết kế
So với phiên bản trước, Redmi Note 14 Pro Plus 5G không có nhiều thay đổi về thiết kế ngoại trừ cụm camera lồi hơn, tạo cảm giác mạnh mẽ hơn. Máy được trang bị chuẩn kháng nước, bụi IP68 và độ bền vượt trội, giúp người dùng yên tâm sử dụng ngay cả khi máy rơi xuống mặt nền cứng.
Redmi Note 14 Pro Plus không có nhiều thay đổi về thiết kế trừ cụm camera
Màn hình
Cả hai mẫu đều sở hữu màn hình có kích thước và khả năng tái hiện màu sắc khá giống nhau, nhưng màn hình của Redmi Note 14 Pro Plus 5G sáng hơn với độ sáng 3000 nit, gấp đôi so với 1800 nit trên thế hệ trước.
Camera
Cảm biến chính của Redmi Note 14 Pro Plus 5G có độ phân giải 200MP, giúp mang đến chất lượng ảnh vượt trội so với các mẫu điện thoại dòng phổ thông. Camera trước của Redmi Note 14 Pro Plus 5G được nâng cấp lên 20MP, mang lại chất lượng ảnh chi tiết hơn so với cảm biến 16MP của phiên
bản trước.
Hiệu năng và dung lượng pin
Về hiệu suất, Redmi Note 14 Pro Plus 5G trang bị chip Snapdragon 7s Gen 3 mạnh mẽ hơn so với Dimensity 7200 Ultra của Note 13 Pro Plus. Bên cạnh công suất sạc nhanh 120W, Redmi Note 14 Pro Plus 5G còn sở hữu viên pin 5110mAh, mang lại thời gian sử dụng lâu dài hơn đáng kể so với 5000mAh của thế hệ trước.
Review Redmi Note 14 Pro Plus 5G chính hãng, có gì mới?
Thiết kế cao cấp và sang trọng
Redmi Note 14 Pro Plus 5G tiếp tục duy trì thiết kế tinh tế và hiện đại của dòng Redmi Note. Mặt lưng của máy được hoàn thiện từ kính cường lực cao cấp hoặc chất liệu giả da, mang đến cảm giác cầm nắm chắc chắn và sang trọng. Khung viền kim loại được gia công tỉ mỉ với các đường cắt CNC sắc nét, tạo ra sự liền mạch và chắc chắn. Các cạnh viền được bo cong mềm mại, mang lại cảm giác thoải mái khi sử dụng.
Redmi Note 14 Pro Plus 5G tiếp tục duy trì thiết kế tinh tế và hiện đại
Ngoài ra, Redmi Note 14 Pro Plus 5G còn có nhiều tùy chọn màu sắc trẻ trung, hiện đại, bao gồm Trắng, Tím và Xanh dương, cho phép người dùng thể hiện cá tính riêng.
Màn hình AMOLED cao cấp: Sắc nét và sáng rõ
Một trong những điểm nổi bật của Redmi Note 14 Pro Plus 5G là màn hình AMOLED 6.67 inch với độ phân giải 1.5K (1220 x 2712 pixels) và mật độ điểm ảnh lên đến 446 ppi. Với tần số quét 120Hz, màn hình của máy mang đến trải nghiệm mượt mà, không giật lag khi cuộn trang, lướt web hay chơi game. Đặc biệt, độ sáng tối đa lên tới 3000 nits giúp việc sử dụng điện thoại dưới ánh sáng mặt trời trở nên dễ dàng hơn bao giờ hết.
Màn hình AMOLED 6.67 inch với độ phân giải 1.5K
Máy còn hỗ trợ các chuẩn HDR như HDR10+ và Dolby Vision, mang đến màu sắc sống động, chân thực và dải động rộng. Điều này giúp nâng cao trải nghiệm khi xem phim hay chơi game, mang lại hình ảnh sắc nét, chi tiết và chiều sâu ấn tượng.
Hiệu năng mạnh mẽ với Snapdragon 7s Gen 3
Redmi Note 14 Pro Plus 5G được trang bị vi xử lý Snapdragon 7s Gen 3, một con chip mạnh mẽ được sản xuất trên tiến trình 4nm của Qualcomm. So với Dimensity 7200 Ultra trên Redmi Note 13 Pro Plus, Snapdragon 7s Gen 3 mang đến hiệu suất nhỉnh hơn một chút nhưng không có sự khác biệt quá lớn.
Redmi Note 14 Pro Plus 5G được trang bị vi xử lý Snapdragon 7s Gen 3
Dù vậy, Redmi Note 14 Pro Plus 5G vẫn đáp ứng rất tốt nhu cầu sử dụng hàng ngày và chơi game phổ thông. Máy hỗ trợ các tùy chọn RAM từ 8GB đến 16GB và bộ nhớ trong từ 128GB đến 512GB, đảm bảo hiệu suất mượt mà và không gian lưu trữ rộng rãi.
Camera xuất sắc trong phân khúc tầm trung
Hệ thống camera của Redmi Note 14 Pro Plus 5G là một trong những nâng cấp đáng giá nhất của máy. Cảm biến chính 200MP với kích thước điểm ảnh lớn và khẩu độ f/1.6, hỗ trợ chống rung quang học OIS và lấy nét theo pha PDAF, mang lại khả năng chụp ảnh sắc nét và rõ ràng ngay cả trong điều kiện ánh sáng yếu.
Cảm biến chính 200MP với kích thước điểm ảnh lớn và khẩu độ f/1.6, hỗ trợ OIS
Ngoài ra, máy còn trang bị camera góc siêu rộng 8MP, camera macro 2MP và camera selfie 20MP, cho phép người dùng chụp những bức ảnh ấn tượng ở mọi góc độ.
Pin khủng và sạc nhanh
Một điểm đáng chú ý khác của Redmi Note 14 Pro Plus 5G là viên pin dung lượng lên đến 5110mAh, lớn hơn so với viên pin 5000mAh của Redmi Note 13 Pro Plus. Điều này giúp thời gian sử dụng của máy trở nên dài lâu hơn. Mặc dù công suất sạc nhanh 120W như trên thế hệ trước, cho phép người dùng có thể sạc đầy pin trong thời gian ngắn.
Thông số kỹ thuật chi tiết
Thông số
Redmi Note 14 Pro Plus 5G
Màn hình
AMOLED 6.67 inch 1220 x 2712 pixels, 120Hz, 3000 nits
CPU
Snapdragon 7s Gen 3
RAM
8GB/12GB/16GB
Bộ nhớ trong
128GB/256GB/512GB
Camera chính
200MP, OIS
Camera tele
50MP, zoom quang 2.5x
Camera góc siêu rộng
8MP
Pin
5110mAh, sạc 120W
Hệ điều hành
Android 14, MIUI 14
Kích thước
162.5 x 74.7 x 8.8 mm, 205g
Kháng nước, bụi
IP68
Tình trạng lừa đảo qua mạng tại Việt Nam và khu vực Đông Nam Á đang ở mức báo động, với thiệt hại hàng chục tỷ USD mỗi năm. Trong khi tội phạm mạng không ngừng biến hóa, các công cụ ứng dụng trí tuệ nhân tạo (AI) đang nổi lên như một “lá chắn” công nghệ g
Tiếp theo chuỗi trên tay iPhone 17 series và iPhone Air mới, chúng ta sẽ đến với bài viết trên tay iPhone 17 Pro ngay ngày mở bán. Cùng mình khám phá xem mẫu iPhone 17 Pro này có gì mới mẻ, ngoại hình thực tế có đẹp không nhé!